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Un bon prix. Tungsten Carbide Gas Pressure Vacuum Sintering Furnace with 3Pa/h Leakage Rate and 1550C Temperature En ligne Vidéo

Tungsten Carbide Gas Pressure Vacuum Sintering Furnace with 3Pa/h Leakage Rate and 1550C Temperature

Max. Température de travail.: 1600 ℃

Température de travail: 1550℃

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Un bon prix. Forneau de traitement thermique sous vide avec système de pression et de désaxage du gaz 1-20MPA En ligne Vidéo

Forneau de traitement thermique sous vide avec système de pression et de désaxage du gaz 1-20MPA

Mettre en évidence:

vacuum heat treatment furnace with gas pressure

,

vacuum heat treatment furnace dewaxing system

,

vacuum heat treatment furnace 1-20MPA

Détails d'emballage: caisses en bois

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Un bon prix. Certificat CE ISO Forneau de frittage à pression de gaz 1-20MPA avec électrode d'étanchéité en cuivre ultra-pur En ligne Vidéo

Certificat CE ISO Forneau de frittage à pression de gaz 1-20MPA avec électrode d'étanchéité en cuivre ultra-pur

Mettre en évidence:

CE ISO certified gas sintering furnace

,

high-pressure sintering furnace 20MPA

,

copper electrode sintering furnace

Détails d'emballage: caisses en bois

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Four à frittage unidirectionnel ou bidirectionnel haute température et pression pour le traitement à haute densité des matériaux

Température maximale de travail (℃ ℃: 2100

Uniformité de température ((°C): ≤±5

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Forneau à haute température sous pression sous vide pour céramique électronique/métallurgie des poudres/matériaux magnétiques

Température maximale de travail (℃ ℃: 2100

Uniformité de température ((°C): ≤±5

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Un bon prix. Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique pour outil de découpe de carbure de tungstène/cimenté En ligne Vidéo

Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique pour outil de découpe de carbure de tungstène/cimenté

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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Un bon prix. Équipement de procédé de revêtement à haute température avec précurseurs et gaz de procédé TiCl4 AlCl3 CH3CN H2 N2 Ar CH4 CO CO2 HCl H2S En ligne Vidéo

Équipement de procédé de revêtement à haute température avec précurseurs et gaz de procédé TiCl4 AlCl3 CH3CN H2 N2 Ar CH4 CO CO2 HCl H2S

Précurseurs et gaz de procédé: Les produits chimiques utilisés pour la préparation des produits chimiques doivent être présentés da

Substrats de revêtement: Métal, céramique, verre, etc.

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Un bon prix. Forneau d'aluminisation chimique à vapeur 900-1050C personnalisable avec codéposition Hf Zr et Si En ligne Vidéo

Forneau d'aluminisation chimique à vapeur 900-1050C personnalisable avec codéposition Hf Zr et Si

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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Un bon prix. AICL3 Précurseurs Forneau de dépôt de vapeur chimique pour outils de coupe à température de processus de 700 à 1050 °C En ligne Vidéo

AICL3 Précurseurs Forneau de dépôt de vapeur chimique pour outils de coupe à température de processus de 700 à 1050 °C

Process temperature((℃): 700-1050

Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

Obtenez le meilleur prix
Un bon prix. Forneau de revêtement CVD en céramique à honeycomb pour une température de processus de 700 à 1050 °C et neutralizer de gaz non électrique en option En ligne Vidéo

Forneau de revêtement CVD en céramique à honeycomb pour une température de processus de 700 à 1050 °C et neutralizer de gaz non électrique en option

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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Un bon prix. Fourniture de revêtement CVD à roue de scellage à rouleaux avec précurseurs de CO et distributeur de gaz de deuxième étape En ligne Vidéo

Fourniture de revêtement CVD à roue de scellage à rouleaux avec précurseurs de CO et distributeur de gaz de deuxième étape

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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Un bon prix. Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique contenant des précurseurs de TiCL4, AICL3 et des gaz de procédé En ligne Vidéo

Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique contenant des précurseurs de TiCL4, AICL3 et des gaz de procédé

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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Un bon prix. Forneau de dépôt de vapeur CVD/CVI avancé pour le revêtement TiC TiN TiCN a-AL2O3 et K-AI2O3 à une température de processus de 700 à 1050 °C En ligne Vidéo

Forneau de dépôt de vapeur CVD/CVI avancé pour le revêtement TiC TiN TiCN a-AL2O3 et K-AI2O3 à une température de processus de 700 à 1050 °C

Température de traitement: 700 à 1050

Types de revêtement: Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.

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Un bon prix. Forneau à vide de laboratoire Cvd personnalisé En ligne Vidéo

Forneau à vide de laboratoire Cvd personnalisé

Température de traitement: 700 à 1050

Types de revêtement: Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.

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Un bon prix. Forneau à courant continu à température de processus 700-1050 °C En ligne Vidéo

Forneau à courant continu à température de processus 700-1050 °C

Température de traitement: 700 à 1050

Types de revêtement: Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.

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Presse à chaud sous vide, four de frittage, type JR, mandrin électrostatique (céramique en nitrure d'aluminium)

Température maximale de travail (℃ ℃: 2100

Uniformité de température ((°C): ≤±5

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