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high pressure furnace (484) Fabricant en ligne

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Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique contenant des précurseurs de TiCL4, AICL3 et des gaz de procédé

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

Obtenez le meilleur prix

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Forneau de brasage sous vide avancé pour la liaison AMB de substrats céramiques à 1200 °C

Température maximale de fonctionnement ((°C): 1200

Uniformité de température ((°C): ≤ ± 3

Obtenez le meilleur prix

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Forneau de frittage à carbure de silicium de réaction de précision 1800C avec une uniformité de température ≤ ± 5C

Max.Température de fonctionnement: 1800℃

Uniformité de température: ≤±5℃

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Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity

Max.Température de fonctionnement: 1800 ℃

Uniformité de la température: ≤ ± 5 ℃

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Furonnes à revêtement CVD au carbure de silicium pour les supports de graphite ou les anneaux de gravure

Détails d'emballage: boîtiers en bois

Délai de livraison: 5 à 6 mois

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La Chine fabrique des fours à chaleur, des machines de revêtement au carbure de silicium.

Espace effectif (mm): 1000*1000*1500

Puissance de chauffage ((KVA): 300

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Forneau industriel de purification à haute température pour les matériaux de graphite

Max.Température de fonctionnement: 2400℃

Uniformité de température: ≤±10℃

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Forneau de brasage à haute température et à très haut vide à 800 à 1300 °C pour les matériaux en acier ou en cuivre

Température maximale de fonctionnement ((°C): 1300

Temperature uniformity(℃）: ≤±3

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Four à hautes températures de vide de contrôle de PLC de 320KVA Siemens

structure: chambre simple, type horizental

Dimension: Adapté aux besoins du client

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RDE Machine de revêtement au carbure de silicium Fourneau de dépôt de vapeur chimique CVD

Espace effectif (mm): 1000*1000*1500

Puissance de chauffage ((KVA): 300

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HTCVD CVD au carbure de silicium SIC Fourniture de croissance épitaxique zones de contrôle de température multiples

Espace effectif (mm): 1000*1000*1500

Puissance de chauffage ((KVA): 300

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Forneau de frittage en céramique au nitrure de silicium à 60 bar Pression et espace de travail personnalisable

Espace de travail: 400*400*1200mm, ou personnalisé selon les besoins du client

Pression de travail: Barre 60

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Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique pour outil de découpe de carbure de tungstène/cimenté

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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Fourniture de revêtement CVD à roue de scellage à rouleaux avec précurseurs de CO et distributeur de gaz de deuxième étape

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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Forneau de revêtement CVD en céramique à honeycomb pour une température de processus de 700 à 1050 °C et neutralizer de gaz non électrique en option

Température de traitement: 700 à 1050

Précurseurs et gaz de procédé: Les substances qui sont utilisées pour la préparation des produits chimiques doivent être conservées

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1200-2500°C Température de conception Four à vide à haute température avec trou d'observation

Taille de la chambre: Il est possible de personnaliser les dimensions de l'appareil (200*200*400/400*400*1200/500*500*1800

Le vide ultime: 3,67*10-3 Pa

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Machine de revêtement de CVD

Double four de frittage de vide de système de contrôle, machine d'agglomération en métal de 6MPa HIP

20 / taux de refroidissement d'écoulement d'eau de four de HIP d'agglomération de poids de 24/34 tonnes 600 l/min

Four de frittage en céramique de four de frittage de moulage par injection de poudre en métal/en métal de vide

Four de frittage en métal de pression de vide pour la recherche de carbure cimenté

Forneau de revêtement à dépôt de vapeur chimique contenant des précurseurs de TiCL4, AICL3 et des gaz de procédé

Forneau de brasage sous vide avancé pour la liaison AMB de substrats céramiques à 1200 °C

Forneau de frittage à carbure de silicium de réaction de précision 1800C avec une uniformité de température ≤ ± 5C

Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity

Furonnes à revêtement CVD au carbure de silicium pour les supports de graphite ou les anneaux de gravure

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Fourniture de revêtement CVD à roue de scellage à rouleaux avec précurseurs de CO et distributeur de gaz de deuxième étape

Forneau de revêtement CVD en céramique à honeycomb pour une température de processus de 700 à 1050 °C et neutralizer de gaz non électrique en option

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