2025-08-25
Le graphite revêtu de TaC présente une résistance supérieure à la corrosion chimique par rapport au graphite pur et peut fonctionner de manière stable à des températures allant jusqu'à 2600°C. C'est le revêtement le plus performant pour la croissance de monocristaux de semi-conducteurs de troisième génération et la croissance épitaxiale de plaquettes. Les revêtements TaC traitent les défauts de bord de cristal et améliorent la qualité de la croissance cristalline, ce qui en fait l'une des technologies de base pour obtenir une croissance « rapide, épaisse et grande ».
Actuellement, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est la méthode la plus courante pour préparer des revêtements TaC pour les applications de semi-conducteurs. Récemment, l'Institut allemand des semi-conducteurs et l'Organisation japonaise de recherche et d'industrialisation du TaC ont démontré des avantages significatifs par rapport aux revêtements TaC CVD dans la croissance de monocristaux de GaN et la croissance PVT de monocristaux de SiC.
La technologie de revêtement TaC multiphase développée indépendamment par la Chine, tout en répondant aux spécifications techniques, peut réduire considérablement le coût des revêtements TaC par rapport aux méthodes CVD. Elle offre également des avantages tels qu'une forte résistance à la liaison, une faible contrainte thermique, une excellente étanchéité et une stabilité à haute température.
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